Snapdragon 835: το νέο πανίσχυρο SoC της Qualcomm

Συντάκτης Δημοσιεύθηκε Παρασκευή, 18 Νοεμβρίου 2016 Κατηγορία Technology News
Θα κατασκευάζεται από τη Samsung.

Στα αποκαλυπτήρια του επόμενης γενιάς κορυφαίου SoC της προχώρησε η Qualcomm. Πρόκειται για το Snapdragon 835 με λιθογραφία 10nm, το οποίο η εταιρεία επιβεβαίωσε πως θα κατασκευάζεται από τη Samsung με τη μέθοδο FinFET.

Σε σύγκριση με το τωρινό Snapdragon 821 των 14nm, που επίσης κατασκευάζεται από τη Samsung, το νέο SoC ενσωματώνει 30% περισσότερα εξαρτήματα στις ίδιες διαστάσεις και προσφέρει 27% καλύτερες επιδόσεις, ενώ ταυτόχρονα είναι έως και 40% ενεργειακά αποδοτικότερο. Η Qualcomm βελτίωσε επίσης τον σχεδιασμό του chip, κάτι που θα έχει θετικό αντίκτυπο στην αυτονομία των συσκευών που θα το ενσωματώνουν.

Παρότι τόσο η Intel, όσο και η TMSC ετοιμάζουν με τη σειρά τους τις δικές τους γραμμές παραγωγής chip 10nm, η Samsung είναι η πρώτη εταιρεία που μπορεί να ξεκινήσει άμεσα την παραγωγή και αυτό, προφανώς, έπαιξε καθοριστικό ρόλο στη συμφωνία με την Qualcomm.

Αξίζει να σημειώσουμε πως το Snapdragon 835 υποστηρίζει την τεχνολογία Quick Charge 4, για 20% ταχύτερη φόρτιση σε σύγκριση με την τεχνολογία Quick Charge 3. Σύμφωνα με την Qualcomm, πέντε λεπτά φόρτισης θα είναι αρκετά για πέντε ώρες αυτονομίας μιας συσκευής, ενώ μέσα σε 15 λεπτά θα έχει φορτίσει η μισή μπαταρία ενός smartphone με Snapdragon 835. Η τεχνολογία θα είναι συμβατή με τις νέες κατευθυντήριες γραμμές της Google σχετικά με τη φόρτιση μέσω USB Type-C.

Όσο για το πότε θα δούμε τα πρώτα smartphones με Snapdragon 835 στην αγορά, αυτό αναμένεται να συμβεί εντός του πρώτου εξαμήνου του 2017. Πιθανότατα ανάμεσά τους να βρίσκεται και το Galaxy S8 της Samsung, καθώς και πολλά ακόμη high-end smartphones των μεγάλων κατασκευαστών.